年产3000万颗深紫外LED芯片，中科潞安一期项目预计8月全部竣工验收

近日，山西中科潞安紫外光电项目，又传来了新进展。  

据潞安集团官方消息，中科潞安紫外光电公司负责人表示，预计2020年8月底完成车间二楼封装中试线建设，一期3000万颗芯片生产线项目全部竣工验收，同时开展二期3亿颗项目的前期准备，争取下半年开工建设。

此外，中科潞安将进行“氮化铝单晶生长和衬底技术研究”、“紫外LED应用产品开发”、“公共卫生安全杀菌消毒应用技术研究”等一系列研发工作全力攻坚；完成紫外半导体光电产业投资基金设立，首期募资10亿元，推动长治光电产业集群建设。

中科潞安紫外项目于2018年4月启动，由长治市政府、中国科学院半导体研究所、潞安集团合作组建山西中科潞安半导体技术研究院，研究院主要开展芯片核心技术研发、封装技术研发与产业化、应用技术研发与工业设计、产品检验检测、行业标准制定等业务，并与政府相关部门共同组建“紫外光电产业双创孵化基地”。

据中科潞安官微2019年消息显示，中科潞安深紫外LED项目分两期建设，总投资约20亿元。其中，一期工程为年产3000万颗紫外LED芯片项目，投资5.4亿元；二期工程为年产2亿颗紫外LED芯片项目，投资15亿元。结合最新官方消息来看，其二期项目紫外LED芯片年产目标或进行提升。