三安光电第三代半导体项目开工，总投资160亿元

长沙晚报消息，7月20日上午，长沙三安第三代半导体项目正式开工。该项目总投资160亿元，主要建设具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地。

报道指出，项目建成达产后将形成超百亿元的产业规模，并带动上下游配套产业产值预计逾千亿元。

资料显示，三安光电是LED龙头企业，近年重点布局新兴应用领域，聚焦化合物半导体、Mini/Micro LED及汽车照明等高端市场。

今年6月，三安光电发布公告称，拟在长沙成立子公司投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。

湖南湘江新区党工委书记郑建新表示，长沙三安第三代半导体项目作为长沙17个制造业标志性重点项目之一，将在长沙建设形成长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装的碳化硅全产业链，必将成为推动长沙新一代半导体及集成电路产业链发展的重大动力。