255亿、100亿、50亿,木林森、康佳、Cree等在布局这些LED领域

2020/9/4 9:34:23 作者: 来源:阿拉丁新闻中心整理
摘要:255亿、100亿、50亿,木林森、康佳、Cree等在布局这些LED领域。

总投资100亿元!

木林森LED全产业链项目落户井冈山经开区

据江西省人民政府官方信息显示,8月25日,井冈山经开区管委会与木林森签订了木林森LED全产业链项目投资合同书,总投资100亿元。

据悉,这是井冈山经开区签约的首个投资百亿元的项目,占地面积约1021亩。木林森拟在原有LED封装项目基础上加大投资,在园区形成LED全产业链项目,实现LED全产业链发展。

该产业链项目包括材料生产、LED封装、研发中心、木林森教育学院等内容。项目建成后,将在井冈山经开区形成包括研发、材料、封装、应用以及人才培养的LED全产业链,全部达产达标后,每年可实现销售收入300亿元以上,上缴税收6亿元以上。

据了解,木林森此前就与井冈山经开区合作投建项目,旨在丰富产品线,扩展业务和延伸产业链。

其中,2017年3月,木林森与井冈山经开区合作开展覆铜板生产项目,主要从事线路板用覆铜板研发、生产、销售工作,总投资30亿元。

2018年5月,木林森在井冈山经开区启动第四期半导体封装生产项目,主要开展半导体封装测试、生产、销售工作,总投资50亿元。

从近几年,尤其是今年木林森的大动作可见,木林森立足于LED行业,业务范围不断进行横向与纵向扩展,触角持续延伸至更多细分利基领域,有助于其不断巩固作为头部企业之一的市场地位。目前,木林森的产品线已实现多元化发展,开始拉动公司业绩稳步增长。

一期项目正式投产,总投资50亿元

总投资50亿,康佳重庆光电研究院一期项目正式投产!

2019年6月,康佳集团与重庆市璧山区人民政府达成合作,康佳拟在该区建设重庆康佳半导体光电产业园,计划总投资达300亿元,瞄准Micro LED等新型显示技术。

2019年9月,康佳与重庆两山产业投资有限公司合资成立重庆康佳半导体光电研究院,注册资本2亿元,其中,康佳集团出资15亿元,持股比例75%,重庆两山产业投资公司出资5亿元,持股比例 25%。此次合作中,康佳以主体投资不超过25.5亿元采购Micro LED相关的机器设备,用于研发和生产Micro LED产品。

2019年10月底,重庆康佳半导体产业园项目正式开工建设,重庆康佳光电研究院揭牌成立。

据报道,2020年8月31日,重庆康佳光电技术研究院项目在璧山区正式投产。

300亿元的产业园项目,目前投产使用的是一期工程,总投资50亿元,目标是研发、生产及销售Micro LED技术和产品。二期产业园项目总建筑面积约21.35万平方米,旨在延展完善Micro LED显示技术相关的半导体产业链条,推动产业结构迈向中高端水平。

另值得一提的是,康佳在去年10月底还首次发布了APHAEA(阿斐亚)未来屏系列产品,并推出Micro LED电视Smart Wall,采用超过一亿颗Micro LED芯片,可实现2000 nits的超高亮度,10,000,000:1的超高对比度以及147%的超广色域。

根据2019年年报显示,康佳正在申请的Micro LED相关专利共有99项,自主研发的Micro LED显示屏以及Micro LED发光芯片已在实验室成功点亮。

此外,重庆康佳光电技术研究院目前已完成了433项有效全球专利提案、9项软件著作权,123项国际PCT专利提案、73项美国提案。

在研发投入方面,康佳持续追加投资。今年上半年,康佳实现营收175亿元,而研发投入达2.58亿元,同比增长64%。由此可见,康佳将持续成为推动Micro LED显示技术产业商用化的一股强大的力量。

康佳提到,目前Micro LED相关技术和产品的研发正在稳步推进中。未来,康佳Micro LED将全面覆盖穿戴显示、车载显示、透明显示等多种应用场景。

总投资255亿元!

深紫外LED外延/封装等系列项目落户宁波

在防疫需求的带动下,深紫外LED产业加快成为了半导体产业的重要发展方向,各地政府纷纷加大政策支持力度,推动深紫外项目的落地和实施。继8月20日八大深紫外LED产业项目落户山西之后,近日又有深紫外项目落户浙江宁波。

据宁波晚报报道,8月28日,宁波杭州湾新区举行重大项目集中签约仪式,本次共有15个项目签约,合计总投资255.3亿元,涵盖汽车制造、生物医药、数字经济、新能源及文旅融合等领域。其中超百亿项目1个,超30亿项目3个,超10亿项目7个。

截至目前,杭州湾新区今年已签约落户各类产业项目61个,总投资490.8亿元,同比增长187.08%,其中百亿级项目2个、10亿元以上项目10个。

值得注意的是,本次在数字经济产业领域签约的是深紫外系列项目,包括深紫外LED半导体器件项目、LED外延及封装项目和LED应用产品研发生产项目。例如:半导体器件项目,总投资6.6亿元,计划建设10条外延、芯片生产线及15条封装线,形成年产10万片2吋深紫外外延、芯片及1.8亿颗灯珠的生产能力。

各地深紫外LED项目的建设和实施将有助于深紫外LED行业不断突破技术瓶颈,加快成本下降的进程,从而提升产品市场普及率。

Cree推进建造全球最大SiC器件制造工厂

8月31消息,Cree宣布,科锐正在推进从硅(Si)向碳化硅(SiC)的产业转型。为了满足日益增长的对于Cree开创性Wolfspeed技术的需求,以支持电动汽车(EV)、4G/5G通信和工业市场的不断增长,Cree于2019年秋季宣布公司将在美国东海岸打造碳化硅(SiC)走廊。

科锐目前正在美国纽约州Marcy建造全球最大的碳化硅(SiC)制造工厂。这一全新的、采用领先前沿技术的功率和射频制造工厂将满足车规级标准和200mm工艺。与此同时,位于公司总部北卡罗莱纳州达勒姆市的超级材料工厂(megamaterialsfactory)的建设也在进行之中。这一全新的制造工厂将显著提升用于Wolfspeed碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)业务的产能,将建设成为一座规模更为庞大、高度自动化且具备更高生产能力的工厂。

科锐首席执行官GreggLowe先生表示:“科锐将在碳化硅(SiC)制造和研发方面继续加大投入,以支持全球范围内对于我们技术不断增长的需求。我们相信先进半导体制造对于引领加速关键下一代技术起着至关重要的作用。”


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