十四五规划提名第三代半导体，碳化硅、氮化镓站上风口

近日，全国两会落下帷幕，第三代半导体成为了两会的关键词之一。

3月12日，新华社发布《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》。纲要中集成电路领域称要取得碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体的发展。

两会期间，全国政协委员王文银在采访中称，伴随着第三代半导体行业的触角向5G基站、特高压、城际高铁交通、新能源充电桩等关键领域延伸，我国半导体行业发展风口已至。

第三代半导体是国家2030规划和“十四五”国家研发计划确定的重要发展方向，被视作我国半导体产业弯道超车的机会。要采取果断措施，推动我国第三代半导体产业落地。

不久前，TrendForce集邦咨询发布了2018-2022年SiC及GaN功率组件市场规模，SiC和GaN自2020年起市场规模呈上升趋势。TrendForce集邦咨询预期2021年GaN通讯及功率器件营收分别为6.8亿和6,100万美元，年增30.8%及90.6%；SiC器件部分，预估2021年SiC器件于功率领域营收可达6.8亿美元，年增32%。

对于第三代半导体领域，各国的研究和水平差距不大，而国内多数专家也对我国第三代半导体的发展持积极态度，第三代半导体材料或许可以成为我们摆脱集成电路被动局面，实现芯片技术追赶和超车的良机。