中科潞安等共同承担的深紫外LED芯片项目取得阶段性进展

紫外LED及其应用是第三代半导体产业的重要发展方向。为加快重大科技攻关及成果转化，2020年，在山西省关键核心技术和共性技术研发攻关专项的支持下，山西中科潞安紫外光电科技有限公司协同中科院半导体所、中科潞安半导体技术研究院共同承担了“氮化镓基高效深紫外LED芯片技术”项目研发任务。

作为新一代紫外光源，氮化物深紫外LED引起各国研究人员和产业界的高度关注，技术创新和应用创新不断取得突破。项目单位通过加强基础理论研究、引入新技术等手段，围绕高质量AlN模板材料、AlGaN材料的大失配异质外延缺陷与应力调控、高效量子结构设计与外延、高光效深紫外LED芯片的关键制备技术及先进封装技术开展研究工作，显著提升了深紫外LED芯片的内量子效率和光提取效率，制备出的大功率深紫外LED芯片，发光功率超过40mW，并开发出发光功率超过1W的深紫外LED模组，模组寿命超过5000小时。

目前相关大功率产品已小批量生产，待产业化规模放大后，可有效降低芯片成本和产品价格，推动深紫外LED 产业开辟新的应用领域和市场，有力带动上下游相关产业发展，经济社会效益将十分显著。